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IPO雷達|鍇威特闖關科創板:監管兩輪質疑技術先進性,實控人曾兼職另一家IPO排隊公司董事

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IPO雷達|鍇威特闖關科創板:監管兩輪質疑技術先進性,實控人曾兼職另一家IPO排隊公司董事

主要產品發明專利少。

圖片來源:圖蟲

記者張喬遇

發明專利核心技術以及研發實力系監管對于科創板IPO排隊公司審核過程重點關注的問題

近日闖關科創板的蘇州鍇威特半導體股份有限公司簡稱鍇威特進入問詢階段兩輪問詢中上交所對于鍇威特的技術先進性及市場競爭力發明專利技術來源等重點提出共12小問公司科創實力如何

監管兩輪質疑技術先進性

公司主營業務為功率半導體的設計、研發和銷售,并提供相關技術服務。主要產品包含功率器件及功率IC兩大類,此外公司還通過技術服務來獲得收入。

圖片來源:招股書

功率器件是鍇威特營收的核心,產品以高壓平面MOSFET為主,并在此基礎上設計研發了集成快恢復高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產品。平面MOSFET產品包括集成快速恢復高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產品。

芯謀研究數據顯示鍇威特2021年平面MOSFET國內市場占有率約為3.14%;Omdia數據測算2020年鍇威特FRMOS產品的國內市場占有率約為6%,位列本土第四位。

平面MOSFET及其涵蓋的FRMOS悉鍇威特收入主力,但卻遭到了上交所兩輪技術先進性問詢,針對該產品的市場競爭情況、核心技術、發明專利、研發周期等多方面要求鍇威特進行說明。

核心技術以及發明專利系監管質疑重點之一。據招股書披露,公司共有10項核心技術,其中存在4項核心技術對應為非專利技術,且應用的產品主要為公司核心FRMOS、平面MOSFET產品。

截至招股書簽署日,鍇威特獲授權的發明專利共8項。其中5項為公司成立當年取得,1項為2016年取得,2項為2020年、2021年取得,其中7項形成了主營業務收入。

在一輪問詢函的回復中,鍇威特截至2022年8月31日的境內發明專利又獲批4項,共12項,但12項發明專利中,也僅有2項發明專利系應用于MOSFET產品,其余發明專利均主要應用于功率IC產品且公司在研項目大部分均與功率IC有關。招股書顯示2019年至2021年,鍇威特功率IC產品收入占主營業務收入的比重分別只有2.00%、2.41%和5.76%。

根據二輪問詢函的回復中公司表示MOSFET產品共涉及4項非專利技術和8項專利技術。

圖片來源:鍇威特二輪問詢函回復
圖片來源:鍇威特二輪問詢函回復

界面新聞記者注意到,公司列舉的8項專利技術涉及的發明專利共10項。其中已獲得授權的發明專利僅3項,其余7項發明專利均處于在審階段。

三項發明專利分別對應招股書中“一種集成耗盡型啟動器件的功率MOS場效應管”、“一種利用Power MOS管實現高壓快速啟動的AC-DC開關電源用供電電路”、“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”。

根據這三項發明專利在主營業務中的運用情況顯示,除“一種利用Power MOS管實現高壓快速啟動的AC-DC開關電源用供電電路”發明專利應用于功率器件及功率IC產品且收入貢獻占比超50%外,其余兩項與MOSFET有關的發明專利貢獻極低。

其中,“一種集成耗盡型啟動器件的功率MOS場效應管”主要應用于功率器件產品,2019年至20221-6月的主營業務收入貢獻占比分別為2.71%、1.47%、2.71%和2.93%,專利收入貢獻較低。

公司解釋原因系:其一,該項專利相關產品屬于耗盡型MOSFET,該類產品只應用于部分要求低待機功耗的系統中,其市場需求相對增強型MOSFET來說占比較低,發行人功率器件主要為增強型MOSFET;其二,該專利相關產品電流較小,其單價本身較低。

另“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”應用于集成肖特基二極管的碳化硅MOSFET產品,但目前尚未形成主營業務收入。

實控人部分核心技術人員來自無錫硅動力

公司核心技術人員相關情況也受到了監管關注。

招股書顯示,鍇威特的實際控制人系丁國華,丁國華直接持有公司20.26%的股份,并通過一致行動協議及員工持股平臺間接控制公司合計62.93%的表決權。

鍇威特成立于2015年1月,丁國華2015年9月至今歷任公司的總裁、董事長,丁國華也是公司的核心技術人員。值得注意的是,在鍇威特任職期間,丁國華同時還兼任無錫硅動力高管。

招股書顯示,2000年9月至2003年4月任無錫硅科動力技術有限公司副董事長,2003年6月至2015年8月歷任無錫硅動力微電子股份有限公司副董事長、董事長、總經理、副總經理等職,2003年6月至2019年1月任無錫硅動力微電子股份有限公司董事。

同時,公司董事、副總經理、研發部總經理譚在超也曾于2007年11月至2012年10月在無錫硅動力任研發部經理一職,2015年3月起開始在公司任職。

根據公司問詢回復,鍇威特還存在6名員工曾在無錫硅動力任職。上述8名員工中丁國華與無錫硅動力曾簽署《保密協議書》、涂才根于無錫硅動力離職時簽署有《離職保密承諾書》;張瑰艷與琪鑫瑞微電子科技無錫有限公司存在保密約定。

圖片來源:鍇威特一輪問詢函回復

據鍇威特回復,丁國華與無錫硅動力簽署的《保密協議書》已隨著丁國華的勞動關系解除而終止;張瑰艷遇徐才根不存在違反保密協議約定及侵犯無錫硅動力知識產權的情形。

無錫硅動力主要從事以AC-DC芯片和DC-DC芯片為主的數模混合電源管理IC的研發、設計、測試和銷售,其產品AC-DC芯片主要應用于消費類快充充電器和電源適配器等,DC-DC芯片主要應用于車載類快充充電器等。無錫硅動力全稱無錫硅動力微電子股份有限公司簡稱硅動力目前也正闖關科創板已進入一輪問詢階段

此外,公司核心技術人員張勝于2018年3月入職,存在入職后不久即參與公司發明專利申請的情形

對此,保薦機構、發行人律師會同保薦機構向其前任職單位無錫中感微電子股份有限公司(以下簡稱“無錫中感微”)發送《確認函》,就張勝是否存在屬于無錫中感微的職務發明情形進行詢證,截至本回復出具日,尚未取得無錫中感微的回復。

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IPO雷達|鍇威特闖關科創板:監管兩輪質疑技術先進性,實控人曾兼職另一家IPO排隊公司董事

主要產品發明專利少。

圖片來源:圖蟲

記者張喬遇

發明專利核心技術以及研發實力系監管對于科創板IPO排隊公司審核過程重點關注的問題

近日闖關科創板的蘇州鍇威特半導體股份有限公司簡稱鍇威特進入問詢階段兩輪問詢中上交所對于鍇威特的技術先進性及市場競爭力發明專利技術來源等重點提出共12小問公司科創實力如何

監管兩輪質疑技術先進性

公司主營業務為功率半導體的設計、研發和銷售,并提供相關技術服務。主要產品包含功率器件及功率IC兩大類,此外公司還通過技術服務來獲得收入。

圖片來源:招股書

功率器件是鍇威特營收的核心,產品以高壓平面MOSFET為主,并在此基礎上設計研發了集成快恢復高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產品。平面MOSFET產品包括集成快速恢復高壓功率MOSFET(FRMOS)系列產品。

芯謀研究數據顯示鍇威特2021年平面MOSFET國內市場占有率約為3.14%;Omdia數據測算2020年鍇威特FRMOS產品的國內市場占有率約為6%,位列本土第四位。

平面MOSFET及其涵蓋的FRMOS悉鍇威特收入主力,但卻遭到了上交所兩輪技術先進性問詢,針對該產品的市場競爭情況、核心技術、發明專利、研發周期等多方面要求鍇威特進行說明。

核心技術以及發明專利系監管質疑重點之一。據招股書披露,公司共有10項核心技術,其中存在4項核心技術對應為非專利技術,且應用的產品主要為公司核心FRMOS、平面MOSFET產品。

截至招股書簽署日,鍇威特獲授權的發明專利共8項。其中5項為公司成立當年取得,1項為2016年取得,2項為2020年、2021年取得,其中7項形成了主營業務收入。

在一輪問詢函的回復中,鍇威特截至2022年8月31日的境內發明專利又獲批4項,共12項,但12項發明專利中,也僅有2項發明專利系應用于MOSFET產品,其余發明專利均主要應用于功率IC產品且公司在研項目大部分均與功率IC有關。招股書顯示2019年至2021年,鍇威特功率IC產品收入占主營業務收入的比重分別只有2.00%、2.41%和5.76%。

根據二輪問詢函的回復中公司表示MOSFET產品共涉及4項非專利技術和8項專利技術。

圖片來源:鍇威特二輪問詢函回復
圖片來源:鍇威特二輪問詢函回復

界面新聞記者注意到,公司列舉的8項專利技術涉及的發明專利共10項。其中已獲得授權的發明專利僅3項,其余7項發明專利均處于在審階段。

三項發明專利分別對應招股書中“一種集成耗盡型啟動器件的功率MOS場效應管”、“一種利用Power MOS管實現高壓快速啟動的AC-DC開關電源用供電電路”、“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”。

根據這三項發明專利在主營業務中的運用情況顯示,除“一種利用Power MOS管實現高壓快速啟動的AC-DC開關電源用供電電路”發明專利應用于功率器件及功率IC產品且收入貢獻占比超50%外,其余兩項與MOSFET有關的發明專利貢獻極低。

其中,“一種集成耗盡型啟動器件的功率MOS場效應管”主要應用于功率器件產品,2019年至20221-6月的主營業務收入貢獻占比分別為2.71%、1.47%、2.71%和2.93%,專利收入貢獻較低。

公司解釋原因系:其一,該項專利相關產品屬于耗盡型MOSFET,該類產品只應用于部分要求低待機功耗的系統中,其市場需求相對增強型MOSFET來說占比較低,發行人功率器件主要為增強型MOSFET;其二,該專利相關產品電流較小,其單價本身較低。

另“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”應用于集成肖特基二極管的碳化硅MOSFET產品,但目前尚未形成主營業務收入。

實控人部分核心技術人員來自無錫硅動力

公司核心技術人員相關情況也受到了監管關注。

招股書顯示,鍇威特的實際控制人系丁國華,丁國華直接持有公司20.26%的股份,并通過一致行動協議及員工持股平臺間接控制公司合計62.93%的表決權。

鍇威特成立于2015年1月,丁國華2015年9月至今歷任公司的總裁、董事長,丁國華也是公司的核心技術人員。值得注意的是,在鍇威特任職期間,丁國華同時還兼任無錫硅動力高管。

招股書顯示,2000年9月至2003年4月任無錫硅科動力技術有限公司副董事長,2003年6月至2015年8月歷任無錫硅動力微電子股份有限公司副董事長、董事長、總經理、副總經理等職,2003年6月至2019年1月任無錫硅動力微電子股份有限公司董事。

同時,公司董事、副總經理、研發部總經理譚在超也曾于2007年11月至2012年10月在無錫硅動力任研發部經理一職,2015年3月起開始在公司任職。

根據公司問詢回復,鍇威特還存在6名員工曾在無錫硅動力任職。上述8名員工中丁國華與無錫硅動力曾簽署《保密協議書》、涂才根于無錫硅動力離職時簽署有《離職保密承諾書》;張瑰艷與琪鑫瑞微電子科技無錫有限公司存在保密約定。

圖片來源:鍇威特一輪問詢函回復

據鍇威特回復,丁國華與無錫硅動力簽署的《保密協議書》已隨著丁國華的勞動關系解除而終止;張瑰艷遇徐才根不存在違反保密協議約定及侵犯無錫硅動力知識產權的情形。

無錫硅動力主要從事以AC-DC芯片和DC-DC芯片為主的數模混合電源管理IC的研發、設計、測試和銷售,其產品AC-DC芯片主要應用于消費類快充充電器和電源適配器等,DC-DC芯片主要應用于車載類快充充電器等。無錫硅動力全稱無錫硅動力微電子股份有限公司簡稱硅動力目前也正闖關科創板已進入一輪問詢階段

此外,公司核心技術人員張勝于2018年3月入職,存在入職后不久即參與公司發明專利申請的情形

對此,保薦機構、發行人律師會同保薦機構向其前任職單位無錫中感微電子股份有限公司(以下簡稱“無錫中感微”)發送《確認函》,就張勝是否存在屬于無錫中感微的職務發明情形進行詢證,截至本回復出具日,尚未取得無錫中感微的回復。

未經正式授權嚴禁轉載本文,侵權必究。
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