記者 | 彭新

6月30日，三星電子宣布已經開始大規模生產3納米芯片，是全球首家量產3納米芯片的公司。

三星稱，與前幾代工藝使用FinFET技術不同，三星使用的全環繞柵極（gate-all-around, GAA）晶體管技術，使新開發的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，并減少16%的面積。

納米為一米的十億分之一，是處理芯片時常用的晶體管寬度單位。這個數字越小，芯片制程就越先進，也越容易提高性能。三星預計，在下一階段芯片性能會提高，功耗和產品尺寸還將進一步下降。

三星并未公布首發客戶名單，也沒有詳細說明新芯片的產量，但市場傳出三星3納米制程最初客戶有上海磐矽半導體和高通等公司。

在晶圓代工市場，主要為臺積電和三星兩家公司競爭，而臺積電仍居于主導地位，占全球晶圓代工營收的一半以上，也是iPhone、iPad等產品處理器的獨家供貨商。

至于臺積電3納米制程進展，臺積電董事長劉德音曾在本月初的股東會上提及，先進制程的進展都按照計劃發展中，預計下半年將量產3納米芯片。

與三星不同的是，臺積電將采用較為成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工藝，一直到2025年量產2納米芯片時，才會采用GAA技術。另有報道稱，蘋果和英特爾正在測試臺積電的3納米制程工藝。這也意味著，三星、臺積電將用不同架構設計的3納米制程進行對決。

目前三星也在開發3納米乃至2納米所需的第二代技術，聲稱相關技術能使晶片效能較7納米時提高35%、面積減少45%，功耗降低五成。