文|半導體產業縱橫

這是鎧俠的多事之秋，繼三家分拆的消息之后，其NAND工廠又檢出原料污染問題。

2月初，鎧俠發表聲明，在三重縣四日市工廠和巖手縣北上工廠，由于自家工廠在制造過程中使用的材料受到污染，影響到了3D NAND芯片生產，并表示將會體現在第一季度的出貨量上。而西部數據（Western Digital）就與鎧俠的合資閃存制造設施的生產狀況表示，西部數據目前對影響的評估是其閃存可用性減少了至少 6.5 EB（1 EB=1024 TB）。

因為3D NAND 閃存生產周期時間長，一般需要兩到三個月，因此本次原料問題導致的供應中斷將可能在生產重啟后的幾個月內展現出影響。在原料受污染問題出現后，Trend Force預測今年第二季度閃存價格將上漲5%至10%，并最終影響基于SSD和NAND閃存的產品。

由于原料污染系不明原因，鎧俠還沒有對本次問題的后果做出估計，如果鎧俠發布對其自身生產影響的確切估計，閃存價格有可能再次上漲。

英特爾NAND Flash部門在2021年下半年被SK海力士收購，收購結束之后，SK海力士的NAND Flash份額或將躍升第二位

在NAND Flash領域，鎧俠和西部數據市占率超過3成。NAND Flash技術壁壘高，同時也有較強的價格波動特性。2021年下半年以來，智能手機、電視等消費類電子產品的出貨量低于預期，同時存儲卡和U盤在內的零售存儲產品需求也身處低迷。咨詢機構稱，2022年第一季整體NANDFlash價格跌幅將收斂至8~13%，由于供給而導致的價格上漲成為今年NAND的一個小插曲。這邊水深火熱，三星和SK海力士則穩步前進，同行的悲歡并不相通。

技術霸主爭奪戰少了誰？

本月初，三星電子計劃在2022年底或2023年上半年推出200層以上NAND閃存，并且明年上半年開始批量生產。三星曾計劃在去年年末量產176層NAND，但目前已經推遲到了今年第一季度。

對比三星的NAND技術，美光稍稍領先，已經開始量產176層NAND。三星加快200層以上NAND閃存量產的部分，也是為了奪回被美光奪走的技術領先地位。三星將在128層的單片存儲器上疊加96層，推出224層的NAND閃存。與176層相比，224層NAND閃存的生產效率和數據傳輸速度將提高30%。

在技術研發上，SK海力士和美光也毫不退讓。

在2019年SK海力士發布的技術路線圖中，SK海力士2020年計劃實現176層研發，2021年年中完成量產出貨。果不其然，2020年12月，SK海力士介紹首家報道了其176層NAND研發成果，第三代4D NAND閃存達到業界最高水平，比上一代128層產品提高了35%以上生產率，新產品的讀取速度比上一代加快20%，數據傳輸速度達到每秒1.6GB，提高了33%。

回顧來看，其實際進度完全符合路線圖計劃。另外，根據其路線圖，SK海力士預計在2030年推出800+層的閃存，可以輕松制造出100-200TB容量的SSD硬盤。

2020年年底，美光宣布可以出貨176層3D NAND芯片，與上一代的96層3D NAND相比，容量提高了近2倍。2021 Computex上美光宣布，將發布采用176層3D NAND的PCIe 4.0SSD，還有性能更高的智能車載系統NAND芯片，以及密度更大的DRAM內存。美光公司此前還表示，將努力提高在整個行業的利潤中的份額，而非其在行業產量中的份額。這表示，美光正在低調做事，在技術特別是堆疊能力上，美光毫不遜色。

反觀鎧俠和西數，NAND閃存是由東芝于1987年首次提出的，雖然鎧俠在2016年就已經展望了200層以上的堆疊，但是后來被美光等后來者搶先研發。

2019年鎧俠和西部數據基于96層QLC單顆Die容量實現了1.33TB容量，2020年初推出的第五代3D NAND技術，采用的是112層堆疊BiCS5，初步量產的是512GB TLC產品，已經面向消費類的產品發售，QLC 單顆Die容量將達1.33TB，而新一代BiCS6還未公開透露消息。

身處迷霧的2022產量

三星在2021年中半導體業務成績卓然，超過英特爾成為全球第一，但是三星存儲業務的營收在2021年第四季度已經出現了7%的環比下降，原因包括全球半導體供應鏈問題以及平均售價的下降等。

面對景氣不定的存儲業務，三星在年報中表示，將在2022年第一季度采取穩中有進的策略，通過優化產品組合和提升生產靈活度來規避風險。NAND業務會提升生產的靈活度，以最小化供應鏈中斷的風險。

去年年底，SK海力士完成收購英特爾NAND閃存及SSD業務案的第一階段，SK海力士成立了美國子公司Solidigm，預期公司今年的NAND閃存銷售量比去年增加約1倍。面對今年第一季度的DRAM跌價風潮，SK海力士將降低DRAM出貨量以保證利潤，增產NAND產量搶占市占率。SK海力士預計，2022財年NAND需求同比將增長約30%，年底之前176層NAND產品占公司產能的70%。

在鎧俠和西數NAND產線遭受污染之后，美光通知市場將對NAND芯片合約、現貨價上調。其中，合約價上漲17%至18%，現貨價漲25% 以上，預計在3月就可以看到明顯的市場反應。西部數據與鎧俠日本合資工廠影響到兩家公司2022年Q1及Q2兩個季度3.7%及全年1.7%產能，產能增加將從27.4%降低至21.2%，NAND全產業增長今年將從32.0%降至30.0%。事故之后，西部數據首先通知客戶立即提高其所有NAND閃存的價格，本次事故影響完全消弭預計要到2023年年中。

雖然西部數據和鎧俠 NAND Flash 運營的中斷可以被視為負面影響，但從歷史上看，閃存生產的中斷（地震、停電等）已經對 NAND 閃存定價和相應的股價產生了積極影響。

三星方面近日也出了個大料，本月初三星電子工會與公司管理層未能就2021年工資達成協議，工會將向韓國國家勞動關系委員會申請調解。2月14日，韓國國家勞動關系委員會決定停止調解三星電子管理層和工會之間的工資談判。雙方未達成調解，三星可能面臨53年來首次大罷工的威脅。

多起事件疊加，2022 NAND后事如何，還須過幾個月分解。