英諾賽科是一家致力于創建基于高性能、低成本、硅基氮化鎵（GaN-on-Si）電源解決方案的全球能源生態系統的企業。該公司今天宣布，美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日發布的337調查終裁決定證實，英諾賽科的客戶將其產品進口到美國的合法性不受英諾賽科和宜普電源轉換公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之間正在進行的專利糾紛的影響。

去年5月，EPC在ITC對英諾賽科提起專利侵權訴訟調查，宣稱英諾賽科侵犯了EPC的US’508號專利和US’294號專利。今年7月，ITC行政法官作出初步裁定，認定英諾賽科沒有侵犯EPC的US'508號專利的權利要求1（該專利中唯一被EPC用來主張權利的權利要求），而今天，ITC的最新終裁決定再次確認英諾賽科沒有侵犯該US’508號專利，這對英諾賽科來說是一個巨大的勝利。

然而，終裁決定維持了行政法官初步裁決中認定的侵犯了US'294號專利權利要求2和3的部分情形。因此，ITC將決定發布有限排除令，禁止英諾賽科將某些被指控的芯片作為直接產品出口到美國。英諾賽科不同意這一裁決，并將對此進一步提出上訴。這至少是因為US'294號專利本身的權利基礎是不穩定的，被無效的可能性很大。事實上，美國專利商標局（“USPTO”）以四種不同的理由對US'294號專利的所有權利要求進行了雙方復審（“IPR”），并同意英諾賽科的無效論點。US'294號專利的IPR無效審查決定將于2025年3月發布。

英諾賽科還指出，根據美國法律規定，有限排除令并不禁止英諾賽科的客戶將使用被指控芯片的終端產品進口到美國市場。此外，由于終裁決定澄清了“補償GaN層”這一權利要求術語的含義，而這正是雙方圍繞US'294號專利爭議的核心，因此也為英諾賽科提供了明確的規避設計指導，通過避免使用“補償GaN層”這一技術特征，就可以實現對US'294號專利的規避。目前英諾賽科已經完成了規避設計方案，并將很快發布規避設計后的新產品。

因此，EPC訴訟不會對英諾賽科的客戶帶來不利影響。此外，英諾賽科將繼續通過法院上訴程序和美國專利商標局的無效程序來推動解決與EPC的糾紛，并有信心取得最終的完全勝利。

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英諾賽科成立于 2015 年，目前已經成為全球最大的 氮化鎵半導體器件IDM（全產業鏈模式）制造商，集成并簡化了包括設計、制造、封裝、電路應用和銷售在內的所有流程，持續引領氮化鎵技術前沿。我們開發出的產品覆蓋從低壓30V到高壓700V的全電壓等級范圍。英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造能力，這能夠顯著降低我們的生產成本。